SK海力士2026H2重启大连二厂扩建工程，未来将生产238层NAND闪存芯片

随着全球NAND闪存市场需求强劲反弹，海力各大制造商在经历短暂的士H闪存产能调整期后，正加速推进扩产计划。重启SK海力士近期宣布了一项高达500亿美元的大连韩国新厂投资，同时并未忽视其在中国的厂扩程未产层战略布局，大连工厂的建工将生扩建进程正在重新提速。

据TrendForce最新报道，芯片SK海力士计划于2026年下半年正式重启大连二厂的海力扩建工程。届时，士H闪存公司将开始安装核心生产设备，重启并分阶段推进设施建设，大连预计于2027年上半年完成全部工程。厂扩程未产层目前，建工将生SK海力士的芯片合作伙伴已开始将韩国闲置的先进设备转运至大连，海外供应商也已收到初步的海力设备采购订单，供应链准备就绪。

此前，受美国出口管制政策影响以及NAND闪存市场长期低迷的双重压力，SK海力士曾暂停大连二厂的扩建步伐。然而，随着市场回暖，该工厂的战略地位再次凸显。未来，大连二厂将具备生产238层高堆叠NAND闪存芯片的能力，月产能目标设定为3万至5万片晶圆。与此同时，大连一厂也将进行产线升级，替换老旧设备，转而专注于生产192层NAND闪存。尽管SK海力士在韩国本土投入巨资，但报告显示，大连二厂已成为其全球NAND产能扩张中速度最快的基地。

除NAND闪存业务外，SK海力士也在积极优化其在中国的其他半导体布局。近期，公司正在扩建位于无锡的DRAM生产设施，旨在逐步提升动态随机存取存储器的整体产能，以应对日益增长的市场需求。

(责任编辑：休闲)