科技早报 | 阿里预计第一财季闪购减亏快于市场预期；企业微信紧急上线拉群确认机制

1. 阿里第一财季预计闪购减亏快于市场预期

7月8日消息，科技亏快据界面新闻获悉，早报制阿里巴巴2027财年Q1财报前瞻显示，阿里其整体电商业务（涵盖中国电商与AIDC）利润表现稳健，预计于市业微重回增长轨道。第财其中，季闪急上淘宝闪购业务的购减减亏速度超出市场预期，与竞争对手的场预单位经济模型（UE）差距正在显著收窄。在降低补贴力度的期企群确过程中，淘宝闪购的信紧线拉市场份额保持稳定。

目前，认机淘宝闪购的科技亏快战略重心已转向高客单价的餐饮及非餐订单领域。分析指出，早报制随着业务结构的阿里优化，其单位经济模型（UE）有望在未来得到进一步改善。预计于市业微

2. 中兴全球首款AI智能体手机将亮相2026 WAIC

7月8日，据蓝鲸新闻报道，知情人士透露，中兴努比亚打造的全球首款AI智能体手机，预计将在2026世界人工智能大会（WAIC）上正式亮相。此举标志着中兴在端侧AI大模型落地及智能终端创新领域迈出了关键一步。

3. “77万条未读消息”事件发酵，企业微信紧急上线“拉群确认”机制

近日，“88岁老人手机未读消息达77万条”的新闻引发全网对老年人数字权益的广泛关注，同时也将企业微信长期存在的“静默拉群”规则推至舆论风口。

7月7日，企业微信官方发布《关于治理过度营销、优化老年人上网环境的公告》，宣布调整拉群管控规则，针对行为异常的企业账号上线“拉群需被拉人确认”机制，并配套多项治理措施。

根据声明，企业微信团队推出了四项针对性治理举措：
1. 加强拉群管控：针对退群率偏高、行为异常的企业账号，上线“拉群时需被拉人确认”功能，从源头减少用户被动入群的情况。
2. 管控拉群频率：对拉群过于频繁或用户退群率过高的企业，直接限制其拉群能力。
3. 加大外挂打击力度：对使用第三方工具进行批量群发、消息轰炸的行为从严处置。
4. 联动微信安全团队协同治理：强化针对老年人过度营销账号的识别与封禁。

4. 苹果与博通签署超300亿美元协议，加码美国芯片制造

7月8日，苹果公司宣布与博通达成一项多年合作协议，总金额预计超过300亿美元。双方将共同设计并生产用于苹果多款产品的定制芯片及先进无线连接技术。

根据协议内容，博通将在美国生产超过150亿颗芯片，并在科罗拉多州柯林斯堡工厂投资15亿美元，用于扩建和升级产能，生产包括FBAR射频滤波器在内的先进射频组件及无线连接技术。

苹果表示，这是其“美国制造计划”迄今规模最大的合作项目，也是其未来四年向美国经济投资6000亿美元承诺的重要组成部分，旨在推动美国本土半导体供应链建设并支持当地就业。

5. 三星电子近5万人瓜分超15亿元“大礼包”

7月7日晚间，三星电子在韩国金融监督院电子公示系统DART披露董事会决议，一次性划拨108.34万股库存普通股用于员工股票薪酬，总核定价值3445亿韩元（折合人民币15.36亿元），覆盖近5万名员工。

此次股票激励的分配范围限定为DX消费电子事业部与CSS复合半导体解决方案团队，符合条件员工合计49345人。按公告基准日（7月6日）收盘价31.8万韩元/股测算，平均每人可分得约22股，对应账面价值700万韩元（折合人民币3.12万元）。

6. 支付宝“碰一下”用户数破4亿

7月8日，支付宝宣布，“碰一下”用户数已突破4亿，部署线下点位超3000万个，合作生态伙伴数目已超过2300家。

基于线下超3000万物理点位的AI化升级，支付宝计划于2026年重点开放Agent（智能体）服务网络，进一步拓展线下场景的智能化应用。

7. 摩根大通重申三星电子增持评级，称股价回调带来逢低买入时机

7月8日消息，摩根大通在最新发布的个股研究报告中，对三星电子披露的2026年第二季度强劲初步业绩给予了极高评价，重申其“增持”评级，并将2026年12月的目标价调高至480,000韩元。

摩根大通指出，尽管三星在今年上半年一次性计提了超过15万亿韩元的巨额劳务成本拨备，但在AI基础设施建设引发的存储芯片价格飙升及韩元贬值的双重利好拉动下，其二季度实际盈利表现击败了此前已被市场调低的预期，展现出极具韧性的周期爆发力。

报告强调，经历此前的股价回调后，目前三星电子股价对应的未来12个月滚动市盈率仅为5.2倍。小摩称，三星已成为全球范围内“定价最便宜的优质存储资产”，此前的市场悲观情绪反而为中长线投资者提供了极佳的逢低买入时机。

8. 英特尔专利曝光新型XBM内存架构

7月8日消息，英特尔一项近日公开的专利申请显示，公司正研发名为XBM（Cross-Batch Memory）的新型高带宽内存架构。该架构旨在通过取消HBM所需的硅中介层、采用UCIe互连及内置冗余修复机制，降低先进封装成本并缓解AI芯片的“内存墙”瓶颈。

专利显示，XBM采用后端晶体管（BEOL）DRAM堆叠设计，可在保持与HBM4相近封装尺寸的同时提升可扩展性，并支持缺陷修复以提高良率。

(责任编辑：百科)