挑战台积电英特尔！三星杀入1.4nm赛道：2029年投产

快科技7月2日讯，挑战台积特尔投产在半导体先进制程的电英道年激烈角逐中，三星电子正试图扭转此前在1.4nm节点上落后于台积电（TSMC）和英特尔（Intel）的星杀局面。在近期举办的挑战台积特尔投产SAFE Forum 2026论坛上，三星不仅披露了1.4nm工艺的电英道年最新研发进展，更抛出一项重磅消息：公司正同步开发名为“1.4nm+”的星杀改进型迭代工艺。

量产时间表：三星追赶，挑战台积特尔投产差距缩小

根据最新披露的电英道年信息，三星的星杀1.4nm工艺预计将于2029年正式投入量产，而其同步研发的挑战台积特尔投产1.4nm+工艺则计划于2030年投产。

作为对比，电英道年台积电的星杀1.4nm工艺目标是在2028年实现量产。这意味着三星在时间线上比台积电落后约一年。挑战台积特尔投产然而，电英道年若将视角拉至整个行业格局，星杀三星目前的整体研发进度已与英特尔基本持平，三方在先进制程领域的竞争壁垒正在逐步缩小。

技术破局：DTCO提升良率与能效

业界普遍关注的核心痛点在于，三星如何突破先进制程的良率瓶颈。报道指出，三星已全面转向“设计与工艺协同优化”（DTCO）技术路线。

DTCO的核心理念是在不大幅增加现有制造基础设施投入的前提下，通过前端设计与后端工艺的深度融合与协同优化，显著提升芯片的能效比、性能表现以及单位面积的集成度。

三星方面强调，随着晶体管微缩进入深水区，DTCO的应用变得至关重要。此前，该技术已成功应用于三星第一代和第二代2nm GAA（环绕栅极）工艺中，实测数据显示其功耗降低了26%，验证了该路径的有效性。

双线布局：2nm与1.4nm并行推进

在晶圆代工的战略规划上，三星采取了“双线并进”的策略：

1. 短期重点：持续推进1.4nm及1.4nm+工艺的研发与量产准备。
2. 中期基石：将大量资源倾斜至第三代2nm GAA节点的开发，该节点预计于2027年或2028年实现量产，旨在巩固其在当前主流先进制程市场的竞争力。

关键变量：苹果订单成最大诱惑

业内分析认为，三星加速推进1.4nm工艺的核心动力之一，源自对苹果（Apple）芯片订单的渴望。

根据苹果内部的芯片路线图，其在经历两代2nm工艺迭代后，计划转向1.4nm节点。如果三星能在2029年顺利实现1.4nm的高质量量产，将极有可能拿下苹果这一重量级客户的代工大单。这不仅将为三星带来巨额营收，更将极大提升其在高端先进制程代工市场的份额与话语权，从而真正打破台积电的垄断格局。

(责任编辑：综合)