消息称HBM4价格明年有望翻倍，产能瓶颈与长期合同加剧供应紧张

IT之家 7 月 13 日讯 —— 在人工智能需求爆发与产能结构性短缺的消息双重夹击下，高带宽内存（HBM）市场正面临严峻的称H产能长期供需失衡。据行业预测，价格加剧紧张到 2027 年，明年HBM 价格有望实现翻倍增长。有望

据 DigiTimes 上周五报道，翻倍供应链消息指出，瓶颈下一代 HBM4 的合同单价预计将攀升至每 Gb 4 至 5 美元甚至更高。相比之下，消息2026 年下半年的称H产能长期 HBM 价格仅为每 Gb 2 美元左右，这意味着未来价格涨幅巨大。价格加剧紧张

工艺复杂与产能挤占推高成本

此次价格飙升的明年核心驱动力在于 HBM4 极高的制造门槛。其生产周期长达 4 至 6 个月，有望且初期良率远低于成熟产品。翻倍更为关键的瓶颈是，生产 HBM 所消耗的晶圆产能约为普通 DDR5 DRAM 的三倍。在现有晶圆厂产能受限的背景下，这种巨大的资源消耗严重制约了内存厂商的 HBM 产出上限。

长期合同加剧中小客户缺货风险

供应紧张局势因存储巨头的长期供货协议而进一步恶化。三星电子、SK 海力士和美光等头部厂商，正通过与顶级 AI 客户签署为期 3 至 5 年的长期合同，提前锁定全球绝大部分 HBM 产能。

DigiTimes 分析认为，随着更多 DRAM 产能向 HBM 倾斜，叠加长期合同的刚性占用，到 2027 年，全球约有一半的 DRAM 产能将被排除在中小客户供应链之外，导致市场供应极度紧缩。

英伟达 Rubin 架构加速导入与利润博弈

与此同时，英伟达即将推出的 Rubin AI 架构正在加速 HBM4 的导入进程。然而，存储厂商在产能分配上面临新的利润权衡。

今年服务器 DDR5 内存价格持续走高，部分厂商的 DDR5 利润率已突破 80%。这一现状使得内存制造商只有在 HBM 能提供更高边际利润时，才愿意将生产线从传统 DRAM 转向 HBM。为了弥补转换产线带来的机会成本，厂商有强烈动机维持 HBM 的高售价。

资本市场高度看好，股价大幅飙升

这种长期供不应求的市场格局，预计将持续支撑存储板块的股价表现。

• SK 海力士登陆纳斯达克：SK 海力士当天通过美国存托凭证（ADR）正式在纳斯达克上市，这是该公司历史上首次在美国交易。本次发行规模高达 265 亿美元，且 ADR 交易价格高于其在韩国首尔上市的股票，显示出投资者对 AI 存储市场前景的强烈信心。
• 板块集体大涨：AI 热潮已推动多家存储企业股价创出新高：
• 闪迪（SanDisk）：累计上涨超过 3800%
• 美光（Micron）：累计上涨超过 700%
• SK 海力士：累计上涨超过 630%
• 三星电子：累计上涨超过 360%

2027 年供需格局展望

尽管近期市场曾担忧科技巨头可能削减 AI 基础设施投资，但 DigiTimes 援引供应链消息称，进入 2027 年后，AI 硬件整体仍将处于供不应求状态。

因此，预计存储厂商将在 2026 年底启动的新一轮供货合同谈判中掌握绝对的定价主动权。对于未能提前签订长期供货协议的消费电子厂商而言，未来可能面临严重的缺货风险。

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