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铠侠正式交付332层BiCS10闪存样品:存储密度与功耗跃升,瞄准AI算力“内存墙”

2026-07-17 06:15:58 [时尚] 来源:盘星资讯网

智通财经APP获悉,内存墙7月3日,铠侠日本存储巨头铠侠控股株式会社(Kioxia Holdings)正式宣布,正式准已向多家AI数据中心运营商交付第十代BiCS FLASH 3D闪存芯片样品。交付这款采用332层堆叠架构的层B存样储密1Tb TLC闪存,由铠侠日本岩手县北上Fab2晶圆厂专属生产,闪升瞄I算标志着这家前东芝存储事业部在AI驱动的品存新一轮存储“超级周期”中发起关键冲锋。

此前一日,度功闪迪(SNDK.US)亦宣布开始交付与铠侠联合开发的耗跃BiCS10样品。两大NAND原厂近乎同步启动新品交付,内存墙折射出AI数据中心对高密度存储的铠侠迫切需求正将行业竞争推向新高度。

技术跃迁:332层堆叠与能效双优,正式准直击AI算力瓶颈

BiCS10是交付铠侠技术路线图的重大跨越,相比第八代BiCS FLASH实现多项关键突破:

  • 密度大幅跃升:堆叠层数从218层增至332层,层B存样储密存储密度突破29Gb/mm²,闪升瞄I算较BiCS8提升59%。
  • 接口速率升级:I/O接口支持Toggle DDR6.0标准,速率最高达4800MT/s,较第八代提升33%。
  • 能效显著优化:输出功耗降低34%,读取能效提升30%,输入功耗下降10%,写入能效提升18%。

在架构层面,BiCS10完整沿用了自第八代导入的两大核心底层技术:
1. CMOS直接键合到阵列(CBA):通过分离制造存储阵列与逻辑CMOS晶圆并键合,突破传统单片晶圆布线限制,提升堆叠上限。
2. 节距选通(OPS):进一步优化单元结构。

CBA架构的成熟应用意味着无需重建全新产线工艺,新品量产爬坡周期将显著缩短。铠侠表示,该产品将主要集成于企业级和数据中心SSD,以满足AI领域对高性能、大容量及低功耗的紧迫需求。

产能布局:北上Fab2确立全球唯一332层量产基地

此次交付依托于铠侠前瞻性的产能布局。位于日本岩手县北上的Fab2晶圆厂,作为铠侠与闪迪的合资先进闪存产线,于2025年9月完成投产。

  • 战略地位:全球唯一可稳定规模化产出332层BiCS FLASH的制造基地。
  • 硬件配置:配备适配300mm高层闪存的沉积、刻蚀、键合全套设备,具备CBA双层晶圆键合量产能力。
  • 兼容性与智能化:除BiCS10外,同步兼容BiCS9制造;采用减震建筑结构及AI驱动的智能节能设备。

根据2024年获批计划,Fab2产能将分阶段提升,旨在应对AI服务商爆发式的数据存储需求,并同步量产高性价比的第九代与第十代新品。

市场重构:AI推理重塑NAND需求范式

铠侠的样品交付正值全球NAND市场经历结构性变革。据Counterpoint数据,2026年第一季度全球NAND市场总营收达460亿美元,同比激增3.5倍,超越2023年全年水平。

  • 竞争格局:三星(29%)稳居第一,SK海力士(18%)位列第二,铠侠(14%)排名第三,美光、闪迪及长江存储(均为13%)激烈争夺全球第三席位。
  • 需求爆发:铠侠预测,2025-2028财年,全球NAND位元需求年复合增长率(CAGR)为22%,而AI推理需求CAGR高达46%,占数据中心需求增量的86%。服务器已超越手机成为存储需求主战场。
  • 角色转变:在英伟达Storage-Next架构下,高性能NAND成为GPU的内存扩展层。铠侠GP系列SSD搭载XL-FLASH技术,针对AI GPU负载优化高IOPS与低延迟,以DRAM成本提供接近内存的性能。

铠侠计划到2028财年,将数据中心与企业级客户营收占比提升至60%以上,摆脱对消费端市场的过度依赖。

资本表现:市值登顶日本榜首,隐忧与机遇并存

AI存储需求爆发助推铠侠完成从周期挣扎者到日本市值第一的蜕变。

  • 市值荣耀:2024年12月上市,仅18个月后,于6月12日以44.36万亿日元市值超越丰田汽车,登顶日本上市公司榜首。6月16日,股价收涨超4%至97,420日元,总市值达51.75万亿日元,年初至今累计涨幅高达807%。
  • 潜在风险
  • 涨价可持续性:随着产能扩张,市场担忧存储芯片涨价行情难以持续。7月2日美光科技股价下跌3.5%。
  • 反垄断诉讼:原告指控三星、SK海力士、美光自2022年起限制供应、操纵价格,导致DRAM价格上涨约700%。

展望:Q3价格再涨,超级周期延续至2028年

存储价格走势是市场核心关切。杰富瑞预测,2026年Q3内存价格环比大涨40%-50%,Q4再涨30%-40%,涨势至少延续至2027-2028年。

  • 合约模式激进:美光签署16项战略客户协议(SCA),锁定未来3-5年销售额,采取“不买也要付钱”(Take-or-pay)模式。
  • 供给结构性受限:大厂资本开支优先倾斜于高利润HBM,挤压传统NAND供应空间,大规模新增产能最早于2027年底至2028年落地。
  • 市场规模预测:摩根大通预计全球存储TAM将从2025年的2140亿美元飙升至2028年的1.68万亿美元。但高盛指出,长期协议激增历史上常为周期见顶信号。

铠侠以BiCS10交付为标志,凭借北上Fab2专属产能、CBA/OPS成熟工艺及AI推理场景针对性布局,占据有利位置。然而,行业深层矛盾依然尖锐:AI需求爆发与供给受限推高价格,终端消费电子厂商已砍单,手机存储成本占整机BOM超40%;加之反垄断诉讼、扩产争议及周期见顶担忧,市场信心面临考验。

铠侠管理层保持警惕,规划2026-2028财年投入年均约4700亿日元资本开支(较上年增66%,但低于历史峰值10%),目标到2028财年通过多年期长期协议锁定50%出货量,以换取营收稳定性与投资可预见性。

(责任编辑:百科)

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